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使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法

709   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:48:47
一种使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法,涉及一种连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前SiC陶瓷的连接技术在核应用背景下效果较差的技术问题。本发明中使用的连接温度较低,并未达到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔点,主要通过高熵合金中的Ni和Cr元素与SiC反应,在界面生成局部瞬时液相实现连接,可以实现低温连接和高温使用。本发明利用具有优异的高温性能和抗辐照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作为连接材料来连接SiC陶瓷或SiCf/SiC复合材料,有望使得该焊接结构在核电领域运用,提高核电包壳材料的可靠性。
声明:
“使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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