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复合自由层STT-RAM存储单元

759   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:48:45
本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极;其中,复合自由层采用复合材料CoFeSiO,绝缘氧化层为Mgo,固定层包括钴铁硼CoFeB层、钌Ru层、钴铁CoFe层。本发明的复合自由层可以降低磁化翻转的临界电流密度、提高自由层的热稳定性,并且降低了制造难度。
声明:
“复合自由层STT-RAM存储单元” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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