本发明一种三维阵列
碳纳米管及其制备方法,属于
纳米材料制备技术领域;所述碳纳米管单根直径为30‑50nm,长度为2‑3μm。制备方法步骤为:步骤1:在基底上生长氧化物纳米阵列作为模板,并在烘箱中干燥完全;步骤2:在步骤1得到的氧化物纳米阵列上包覆碳层;步骤3:在400‑800℃下进行化学气相沉积CVD反应,在反应过程中去除模板以及完成表面碳化过程,最终得到所述三维阵列碳纳米管。本发明制备工艺简单,成本低廉,易于调控,可大规模生产。可用于催化、能源及
复合材料等领域。与传统方式制备的无序堆叠的碳纳米管相比,本发明制备了高度有序的垂直氮掺杂碳纳米管(V‑CNTs)。
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“三维阵列碳纳米管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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