本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用,属于
纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列,所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC,壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法,所述的制备方法包括:将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口,在高温气氛炉中加热,冷却后得沉积SiC准阵列的碳布;将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室,将汽态的EDOT诱导进入反应真空室,汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列,清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线
复合材料。
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