本发明公开了一种Cu‑Ta合金及其制备方法,Cu‑Ta合金由以下成分组成,Ta原子百分比1.0~35.0,其余为Cu。制备方法具体步骤如下:步骤1:首先对硅基体表面进行超声清洗并烘干;步骤2:将基盘送入磁控溅射镀膜室抽真空;步骤3:采用直流电源共溅射制备Cu‑Ta合金;步骤4:待样品在真空室充分冷却后退出。本发明能够避免材料中合金元素分布不均匀的出现,根据成分不同,所得合金为纳米晶与非晶的
复合材料,有效改善了合金材料的综合力学性能。
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