本发明涉及微电子散热领域,尤其是一种大功率
芯片散热装置制作方法。本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术存在的大功率芯片高热流密度、散热困难的问题,提供一种大功率芯片散热装置制作方法。本发明采用了高导热金刚石铜
复合材料作为大功率半导体散热热沉,同时在金刚石铜热沉上设计微流通道,并通过液体相变层,采用焊接技术形成蒸汽腔,然后抽真空,注入工作介质,最后收口,然后通过大功率芯片直接焊接在带有蒸汽空腔的金刚石铜载体上,利用金刚石铜高导热率和液体相变散热,提高大功率芯片的散热效率。
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