本发明提供了一种g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列的制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:通过金属钛或钛合金的
电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构;然后在马弗炉中进行晶化处理,得到TiO
2纳米管阵列;再将CsPbI
3纳米粒子加入g‑C
3N
4悬浮液中,得到含CsPbI
3和g‑C
3N
4的混合溶液;最后将TiO
2纳米管阵列与混合溶液反应,制备得到g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时,实现了两种
半导体材料的多元复合改性。制备得到的g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列,比表面积大,对太阳光的响应吸收范围宽,可作为高性能的复合电极,为高性能光催化剂的设计提供支撑。
声明:
“g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)