本发明公开了一种高k栅介质材料及其制备方法,属于半导体 技术领域,尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的 应用领域,这种高k栅介质材料为氧化铒-
氧化铝(Er2O3-Al2O3, ErAlO)
复合材料,采用射频磁控溅射制备方法,溅射靶为Er2O3和 Al2O3混合陶瓷靶,在P型Si(100)衬底上制备得到ErAlO非晶栅介质 复合氧化物薄膜,经检测,本发明的ErAlO薄膜具有良好的热稳定 性、良好的平整度和低的漏电流密度,可取代SiO2成为一种新型高k 栅介质材料。
声明:
“高K栅介质材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)