本发明公开了一种具有
石墨烯电极的GaN基半导体器件,由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成,P型半导体层为含GaN的
复合材料层,石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道,使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接,形成石墨烯薄膜层的焊盘,使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上,形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体,在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长,并可通过对金属图形的控制,进一步改善电流分布,提高了器件的出光与散热性能。
声明:
“具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)