一种基于气相沉积法制备大面积超平NiO薄膜的方法,属于有机无机
复合材料和光电材料技术领域。通过真空蒸镀系统,在基底上气相沉积一层金属Ni,经由高温氧化制备了致密、平整的NiO薄膜,此薄膜具有良好的p型半导体特性。相比旋涂法制备的NiO薄膜,气相沉积的大面积NiO表面更加致密平整,粗糙度大大降低,更有利于NiO对空穴的抽取,促进高效的电荷分离与传输。该工作为制备大面积均匀致密的NiO薄膜提供了一种全新解决方案。
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