本发明公开了一种新型低电阻高可靠的
芯片封装材料生产工艺,包括以下份额的原材料:银包铜的芯片粘接胶、
氧化铝、锆、银、硅、环氧树脂和双酚A型环氧树脂。本发明所述的一种新型低电阻高可靠的芯片封装材料生产工艺,通过使用银包铜的芯片粘接胶对芯片封装材料进行涂抹,可为芯片封装材料提供较小的电阻率,导致在使用主原料为银包铜的芯片粘接胶的芯片封装材料时,可为芯片提供良好的导电性能,能完美发挥和适配芯片的功能,对其加入适量的氧化铝、锆、银和硅,从而形成金属基
复合材料,这些物质可以使得银包铜的芯片粘接胶的退火点从320度升高到400度,而热导率和电导率的损伤不大。
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