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多孔硅基薄膜及制备方法

990   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:44:46
本发明公开了一种多孔硅基薄膜的制备方法,采用物理气相沉积或者化学气相沉积的方法将Si薄膜与选定的另一种薄膜制备成多层膜结构,被选定的另一种薄膜材料既作为Si扩散出来的辅助材料,又作为Si复合负极中的复合材料;然后在适当的温度下进行热处理,发生非对称扩散,部分硅颗粒从TiO2中扩散出来,之后将扩散到表面的Si去除即得到具有空隙结构的Si基多层膜负极。本发明相比于其他一些Si基薄膜电极的优点:Si基薄膜电极结构稳定,能量密度高,寿命长;Si薄膜造孔方便,容易控制且环境友好;薄膜韧性好,可制备较厚薄膜电极;本方法制得的电极片不仅能缓解Si的体积膨胀、提高锂离子扩散速率,还能保持优异的循环稳定性。
声明:
“多孔硅基薄膜及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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