本发明涉及光催化产氢技术领域,且公开了一种Ni掺杂CoSe
2‑g‑C
3N
4异质结光催化产氢复合催化剂,包括以下配方原料及组分:g‑C
3N
4修饰
石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠。该一种Ni掺杂CoSe
2‑g‑C
3N
4异质结光催化产氢复合催化剂,g‑C
3N
4与三维石墨烯凝胶通过π‑π相互作用自组装形成
复合材料,Ni掺杂调节了CoSe
2的电子结构,促进了Ni掺杂CoSe
2与g‑C
3N
4形成异质结结构,加速了光生电子和空穴的分离,导电性优异的石墨烯形成三维导电网络,促进光生电子向石墨烯迁移,抑制了光生电子和空穴的重组,Ni掺杂CoSe
2使g‑C
3N
4的光吸收边发生红移,减小了光生电子从g‑C
3N
4价带向导带跃迁的能量,降低了复合催化剂的禁带宽度,使复合催化剂表现出优异的光催化产氢活性。
声明:
“Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其制法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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