本发明公开了一种CsPW
11Fe/Si异质结复合光电材料及其制备方法,CsPW
11Fe纳米粒子有序生长于Si基底表面刻蚀出的孔洞中,呈现出“乳突”状排列;CsPW
11Fe纳米颗粒尺寸为95~105nm,Si基底表面刻蚀出的孔洞尺寸为1~3μm。通过CsPW
11Fe与Si之间的电子转移增强光生载流子的分离效率,从而提高光电转换效率。本发明能高效利用太阳光能实现光电转换,与其它方法相比,技术先进,节能低耗,且性质稳定。在可见光照射下CsPW
11Fe/Si
复合材料的入射单色光子‑电子转换效率达到了54.1%,明显高于纯硅(~10%)。
声明:
“CsPW11Fe/Si异质结复合光电材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)