本发明公开了一种抗总剂量辐照的电源管理
芯片及其制造方法,属于特种功能涂层制备技术领域。本发明解决了现有高Z重金属材料与低Z材料在混合的过程中彼此相对分散的均匀性较差,导致相应的
复合材料的屏蔽效果无法达到预期的应用效果的问题。本发明利用原子层沉积技术在高Z重金属材料金属表面沉积低Z金属氧化物薄膜,具有沉积温度低,厚度均匀可控的优点,利用其良好的三维保型性和包裹性性能,可有效改善涂覆膜层与基底间的界面结合强度,并采用超声辅助热喷涂工艺将稀释液喷涂于电源管理芯片表面,有效提高涂层抗辐照性能的同时,实现电源管理芯片的空间抗辐射加固,为长寿命高可靠航天器的选材和设计提供技术支持。
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“抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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