一种MoS
2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂的制备方法,通过CVD法在铜箔表面制备单层均匀
石墨烯,通过湿法转移把单层石墨烯转移到二氧化硅基底表面,再通过两步CVD生长方法,在石墨烯表面生长MoS
2,制备出MoS
2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂,其中,石墨烯具有优异的导电性能,能加速MoS
2表面电子的传输,且异质结能够提高界面处电子空穴的分离效率,将提高
复合材料的光电催化效率。
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