本发明公开了一种制备钴和三氧化二镓共掺硫化锌硒化锌陶瓷与薄膜的方法,所制备的材料以纯钴、三氧化二镓以及硫化锌硒化锌粉末原料通过循环致密固相烧结法,得到Ga
2O
3:Co:ZnS/Se陶瓷材料。以此为基础,采用脉冲激光沉积的方法制备了同样成分的纳米薄膜材料。本发明实现了过渡金属元素与透明半导体氧化元素共同掺杂硫系
复合材料的制备,所制得材料集中了多种掺杂元素的特性,包括铁磁性质、半导体性质及其红外光学特性。极大地拓宽了材料的应用范围,为下一步研究创造了良好的前提条件。
声明:
“制备钴和三氧化二镓共掺硫化锌硒化锌陶瓷与薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)