本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆单壁
碳纳米管的制备方法。所述方法通过一步法将表面活性剂分子固定在单壁碳纳米管表面,以非共价键的方式诱导介孔二氧化硅壳层的包覆生长,不仅实现了对介孔二氧化硅壳层厚度的调控,并且可以消除氧化硅自成核现象的发生;此方法还可以在介孔孔壁和壳层外表面修饰不同的功能基团,使
复合材料易于分散于各类溶剂中,提高了单壁碳纳米管的分散稳定性,同时介孔孔道可用来装载和传输不同的客体分子,具有广阔的应用前景。
声明:
“介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)