本发明属于
复合材料制备技术领域,涉及钴掺杂MoS
2/NiS
2多孔异质结构材料制备方法。本发明以导电碳布为功能基底,通过系列的水热、煅烧、溶剂热反应在活化后的碳布纤维上均匀生长NiS
2纳米片;以NiS
2纳米片的硫原子为“种子”,NiS
2纳米片2D结构为骨架,在NiS
2纳米片上同步生长MoS
2纳米片和进行钴掺杂,得到钴掺杂、MoS
2纳米微球包裹的NiS
2多孔异质结构。本发明自下而上制备Co‑MoS
2/NiS
2/CC,操作过程简单可控,产物负载率高;催化剂由NiS
2纳米片支撑,生长在NiS
2纳米片上的Co掺杂MoS
2纳米片,2D的NiS
2纳米片具有高比表面积和导电性,能增强电子传输效率,提高催化剂的分散性,并加速水裂解步骤基本反应。本发明工艺简单、条件相对温和、催化剂得率高、生产成本低等优点,可大规模生产。
声明:
“钴掺杂MoS2/NiS2多孔异质结构材料制备方法及其应用于电催化析氢” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)