本发明属于纳米
复合材料合成技术领域,涉及复合电极的制备,尤其涉及一种Cu‑MOF/BiVO
4复合光电极的制备方法和应用。本发明首先采用
电化学沉积和煅烧法在FTO基底上制备出蠕虫状结构的BiVO₄,然后再通过电化学沉积法在BiVO₄表面上可控负载一层Cu₂O,最后借助水热合成法将Cu₂O与有机配体反应,原位在BiVO₄表面引入超薄Cu‑MOF薄膜。还可将其作为工作电极应用于光电化学分解水反应。本发明通过简单可行的方法在蠕虫状结构的BiVO
4表面负载超薄Cu‑MOF,可有效提高光电极的电子和空穴的分离效率,并增强其对可见光的捕获能力,最终实现一类可将太阳能‑化学能高效转换的新型复合光电极的构建,具有优秀的光电化学性能和良好的化学稳定性;本发明工艺简单,重复性好,符合环境友好要求。
声明:
“Cu-MOF/BiVO4复合光电极的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)