一种基于
石墨烯材料的太赫兹波辐射源,本发明涉及到太赫兹发射源,属于太赫兹波技术领域。基本主体材料为石墨烯及其改性石墨烯材料,主要结构包括石墨烯及其改性石墨烯材料所构建的半导体基础层、过渡金属化合物所形成过渡传输交互层、石墨烯及其
复合材料所组成石墨烯磁场发射层三部分主要组成。发明提出一种真正太赫兹波源,输出频率完全覆盖0.1~10THz太赫兹波范围,即使在直流电24V电压下即可发射出平均功率数毫瓦的太赫兹波。所发明的发射源具有结构简单、轻便、薄膜化程度高、工作范围广、高转换效率远远超过当前已有的太赫兹波辐射源、完全适应于规模生产和应用,在拓展光谱学、材料学、生物学、医学成像、环境科学、信息科学、天体物理学、等离子体物理学等领域的认知维度和深度具有深远的影响。
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“基于石墨烯材料的太赫兹波辐射源” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)