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Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用

1024   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:20:40
本发明属于催化剂领域,具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti‑Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应,能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率,提高反应活性位点,显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率;同时,该制备方法工艺简单、成本低,为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后,本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料,禁带宽度在0.67~3.4eV范围可调,具有较大的比表面积,对太阳光有较强的吸收,适用于光电解水产氢。
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“Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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