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制备AL/ALN电子封装材料的方法

738   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:20:39
一种制备AL/ALN电子封装材料的方法,属于电子封装技术领域。工艺步骤为:使用凝胶注模成形或注射成形制备MG粉与AL粉的混合粉末或镁铝合金粉末坯体;坯体在温度为100℃~500℃和非氧化气氛下排除有机物;使上一步得到的坯体在温度为在600℃~900℃,氮气分压为1KPA~10MPA的气氛中烧结30分钟~120小时。优点在于。最终得到AL/ALN复合电子封装材料,该材料的N的质量分数量为3%~30%。同时,制备的AL/ALN复合材料的热导率在100W/M·K以上,满足了电子产品散热的需求。实现了低成本的制造高热导低热膨胀的电子封装材料。
声明:
“制备AL/ALN电子封装材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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