本发明提供了一种铋系半导体Bi
2MO
6复合g‑C
3N
4的制备方法,属于
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:首先通过煅烧法制备得到g‑C
3N
4,然后对其进行半导体复合,实现了Bi
2MO
6的复合,制备得到了一种铋系半导体Bi
2MO
6复合的g‑C
3N
4。该半导体复合材料原料廉价易得,制备方法简单,制造成本低,绿色环保,化学性能稳定,为高性能光催化材料的开发和应用提供思路。
声明:
“铋系半导体Bi2MO6复合g-C3N4的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)