本发明公开了一种SiC陶瓷表面处理方法及其用途,其特征在于,包括下述步骤:先清洗SiC陶瓷表面,然后制备TiH2膏剂,并在陶瓷表面涂敷TiH2膏剂,待干燥后,置于真空炉内热处理以使TiH2完全分解形成活性Ti,并使Ti与SiC反应在陶瓷体表面形成具有一定金属性和高稳定性的Ti(C,Si)复合陶瓷层。本发明可在SiC陶瓷-金属基
复合材料或复合部件的制备或SiC陶瓷作为发热体或锅体在与熔融
有色金属接触过程中,阻挡金属熔体对SiC陶瓷基体的熔解,或提高润湿性,改善界面结合,从而使得后续制备的复合材料或结构、焊接部件或与金属熔体接触的陶瓷部件具有高可靠性、使用寿命长等优点。
声明:
“SiC陶瓷表面处理方法及其用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)