本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法,属于
复合材料技术领域。包括以下步骤:制备
碳纳米管;在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO
2;进行真空高温烧结,生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO
2的方式,不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构,可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆,从而规避了其他传统沉积方式的弊端,而且沉积Ti/TiO
2的前驱体源很丰富,选择性更高。原位生长TiC纳米管不仅有利于充分发挥碳纳米管阵列结构的特性,而且可以充分发挥TiC的电学和机械性能,拓宽了TiC纳米管在器件中的应用。
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