本发明涉及
复合材料制备领域,针对在
石墨烯中引入法拉第电容材料限制了离子快速传输不足等问题,提供一种调控FeS
2/还原氧化石墨烯致密组装结构的方法,包括以下步骤:(1)Mil88金属有机框架物的合成;(2)Mil88/GO/S粉末的制备;(3)致密FeS
2/还原氧化石墨烯的制备。本发明工艺高效稳定、流程简单,有效节约能源,可以实现致密FeS
2/还原氧化石墨烯电极的制备,同时又兼顾了可供钠离子快速传输的通道,从而大幅度提升材料的体积脱盐能力;且制备所得的致密FeS
2/还原氧化石墨烯复合材料在常规条件下的电容去离子技术中表现出优异的
电化学活性和稳定性。
声明:
“调控FeS2/还原氧化石墨烯致密组装结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)