本发明公开了一种钼基
碳纳米管电子封装材料的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,钼粉提纯,将钼粉在氢气炉内进行高温还原以祛除表面的氧化层,步骤2,磁控溅射,所用靶材为铜或者铬,步骤3,碳纳米管生长,将步骤2中表面已经溅射铜,铬催化剂的钼粉,放入CVD炉内进行碳纳米管生长,步骤4,热压,将拓扑结构的钼与碳纳米管的
复合材料,在热压炉内尽心热压烧结,将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料,在热压炉内尽心热压烧结。采用碳纳米管进行复合的方法,解决了现有技术中制备的封装材料热导率不高和孔隙率高的缺点。
声明:
“钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)