本发明涉及一种具有低介电损耗的Ta
2O
5掺杂铌酸盐基玻璃陶瓷材料及其制备方法与应用,制备方法包括首先以SrCO
3、Na
2CO
3、Nb
2O
5、SiO
2、Ta
2O
5为原料,依照6.4Na
2CO
3‑25.6SrCO
3‑32[(1‑x)Nb
2O
5,xTa
2O
5]‑36SiO
2的摩尔配比进行配料混合,再经过高温熔化后制得高温熔浆;之后将该高温熔浆浇入模具成型,并经过恒温去除残余应力后,切片得到玻璃薄片;最后将该玻璃薄片进行受控析晶,即制得上述铌酸盐基玻璃陶瓷材料。与现有技术相比,本发明制备方法简单,经济实用,所制备的玻璃陶瓷
复合材料兼具高介电常数(86)、高击穿强度(1984.75kV/cm)、低介电损耗(0.004)和高理论
储能密度(15.01J/cm
3),在储能电容器材料领域具有较好的应用潜力。
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“具有低介电损耗的Ta2O5掺杂铌酸盐基玻璃陶瓷材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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