本发明属于有机/无机
复合材料领域,公开了一种具有高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该复合材料由聚酰亚胺为基体,以聚酰亚胺包裹片状石墨(FG)制备FG@PI复合颗粒为介电填料,制备聚PI/FG@PI复合薄膜材料。其中,FG@PI复合颗粒所占的聚酰亚胺的量份数为5‑50wt%。按照本发明的制备方法,能够获得较高的介电常数、极低的介电损耗的聚酰亚胺PI/FG@PI复合薄膜。本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于高密度的能量存储装置。
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