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碳化硅晶须的制备方法及相关应用

780   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:12:19
该发明公开了一种纳米SiC晶须的制备方法,具有高达100%的晶须产率。工艺原料为商业碳源和稻壳白灰的均匀混合物。在惰性气氛中将该混合物加热到高温(1500℃),并且在该温度下保温一段时间。反应后,产物主要是β-SiC纳米晶须(光滑表面或者表面有小颗粒而呈串珠结构)。将反应产物在空气中加热到700℃,保温(120分钟)除去残余的碳元素,以得到高纯度的SiC晶须产品。所得SiC晶须直径为200nm到400nm,长度为数十微米。SiC的一系列优异的性质使其具有广泛的应用,例如用于复合材料中的增强相,以及在热流体中用于增加热传递系数。本发明中,串珠结构的SiC晶须用于复合材料的增强,比起传统的光滑纤维效果更加明显;SiC晶须对于热流体的热传递系数有大幅度提高。
声明:
“碳化硅晶须的制备方法及相关应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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