本发明涉及一种利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti
3SiC
2界面相的制备方法,先利用化学气相沉积法在SiC纤维表面制备一定厚度的热解碳以改变SiC纤维表面的化学组成;然后将其掩埋于含有Si和Ti元素的熔盐体系中;之后对其进行热处理,利用SiC纤维内部的SiC纳米晶粒与纤维表面的PyC以及熔盐环境中的Si和Ti反应合成出Ti
3SiC
2界面相。本发明首创采用CVD结合熔盐法,利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面通过原位合成的方式制备Ti
3SiC
2界面相,所得界面相与SiC纤维和后续基体可以实现较强的结合能力,而且该Ti
3SiC
2界面相具有与SiC纤维增强陶瓷基
复合材料常用PyC和氮化硼界面相不同的增韧机制,相比之下其还具备更好的抗氧化性。
声明:
“利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti3SiC2界面相的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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