本发明属于
半导体材料制备技术领域,具体涉及一种P‑CN/CsPbBr
3异质结材料及其制备方法与用途。本发明通过调控加入不同多孔氮化碳和
钙钛矿的质量比,经高温煅烧和冷冻干燥法制备出P‑CN/CsPbBr3异质结
复合材料。经验证,在相同催化剂量(50 mg)条件下,其在全光谱照射下对二氧化碳显示出优异的还原效果,具有优良的光催化活性。本发明工艺非常简单,价廉易得,成本低廉,反应时间较短,从而减少了能耗和反应成本,便于批量生产,无毒无害,符合环境友好要求。
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“P-CN/CsPbBr3异质结材料及其制备方法与用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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