本发明公开了一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷
石墨烯的方法,涉及新型碳
纳米材料、功能
复合材料和新型
储能材料的制备及应用技术领域,本发明包括如下步骤:S1:在常温条件下,向盛有浓硫酸的反应器中按照鳞片石墨:浓硫酸=1 Kg:50 L的比例加入鳞片石墨,搅拌反应2~8h,然后按照鳞片石墨与高锰酸钾的质量比为1:1的比例缓慢加入高锰酸钾粉末,搅拌反应2~5h获得低氧化石墨混酸液;S2:直接向S1的低氧化石墨混酸液中按照鳞片石墨:H2O2=1 Kg:10~100L的比例加入H2O2溶液,充分搅拌反应0.5~5h。综上所述,本方法制备的石墨烯结构完整、质量好、导电性好、用途广,可广泛应用于导电添加剂、功能化改性复合材料、传感器和
储能材料等领域。
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“低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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