本发明公开了一种g‑C
3N
4/rGO/ZnS光催化剂的制备及在光
电化学阴极保护方面的应用,其中,一种g‑C
3N
4/rGO/ZnS三元复合光催化剂的制备方法,其包括,将氧化
石墨烯、锌盐溶解,超声分散;加入硫源,搅拌后高温反应,清洗后干燥,得rGO/ZnS
复合材料;将g‑C
3N
4和所述rGO/ZnS复合材料溶解,搅拌后高温反应,得g‑C
3N
4/rGO/ZnS三元复合光催化剂;一种g‑C
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4/rGO/ZnS光电极的制备方法,其包括:将g‑C
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4/rGO/ZnS、粘结剂、溶剂混合,超声后均匀涂覆于经预处理的基材表面,自然风干后加热干燥。本发明采用硫化锌、氧化石墨烯对氮化碳进行半导体复合改性,能够有效调整g‑C
3N
4的能带结构,提升其光生空穴氧化能力、光生电子迁移能力以及增加光电化学反应活性位点。
声明:
“g-C3N4/rGO/ZnS光催化剂的制备及在光电化学阴极保护方面的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)