本发明公开了一种ZnO@SnO2树枝状异质结构
纳米材料及其生长方法。其中ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料的“树干”为ZnO纳米线,SnO2一部分以覆盖的方式包裹在ZnO纳米线表面,另一部分以“树枝”的形式从ZnO纳米线“树干”表面生长出来。本发明采用CVD方法,使用专用的水平管式炉设备,简单易行,所用原料价廉,工艺简明而易于操作,可实现大规模工业化生产。且制备所得的ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料所形成的多级结构,产生了新的纳米形貌,是一种新的异质结构,并导致新的界面,其较大的比表面积增加了反应的活性位点,从而可提升该纳米
复合材料的反应特性,拓展其在能源存储、催化和传感领域的应用前景。
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“ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)