本发明公开了一种氮磷共掺杂多孔碳包覆硅基材料的制备方法,以植酸为碳源和磷源,盐酸胍为氮源和碳源,对硅基材料进行包覆改性,最终得到一种以氮磷共掺杂多孔碳为包覆层的核壳结构的
复合材料,其中硅基材料的质量比为90%~97%,植酸的质量比为2%~5%,盐酸胍的质量比为1%~5%。本发明方法制备的复合材料,不仅提高了硅基材料的导电性,还有效缓冲了硅基材料在充放电过程中的体积膨胀,改善了材料的稳定性和容量。
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