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石墨烯原位生长碳化硅纳米材料的制备方法

1096   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:09:22
本发明属于纳米材料制备领域,具体涉及一种石墨烯原位生长碳化硅纳米材料的制备方法。本发明采用溶胶凝胶法在石墨烯表面包裹SiO2颗粒,使石墨烯均匀分散,同时石墨烯与SiO2粉体通过化学键结合,形成良好的界面,并且在界面处原位生长碳化硅晶须及颗粒,开启了石墨烯/陶瓷复合材料领域的新思路。本发明不仅增加了石墨烯的分散性、均匀性,还提高了碳化硅的反应速率,减少杂质引入,实现了高含量高产率碳化硅晶须的合成。本发明合成方法简单,缩短反应时间,相比于常规球磨混合法,原位合成能较好的避免球磨过程引入杂质,对原料粉体结构性能的破坏,解决了石墨烯与SiO2纳米颗粒分散不均匀等问题,为批量生产提供了坚实的应用基础。
声明:
“石墨烯原位生长碳化硅纳米材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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