本发明涉及一种含磷化合物改性MoS
2纳米片层的制备方法及其应用,属于聚合物纳米
复合材料领域。本发明的改性方法主要是:通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥,得到插层二硫化钼;将插层二硫化钼水解,得到二硫化钼悬浮液;将含磷化合物加入二硫化钼悬浮液中反应,将得到的产物离心、洗涤并干燥,即获得含磷化合物改性的二硫化钼纳米片层。本发明的改性方法工艺步骤简单,可操作性强,制备成本低;采用含磷化合物对层状二硫化钼进行表面改性,增大了其层间距,阻止了其在聚合物基体中重新团聚堆积,提高了分散性;可作为
阻燃剂应用于聚合物复合材料中。
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“含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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