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MoS2/CdS薄膜电极的制备方法和应用

672   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:09:18
本发明公开了一种MoS2/CdS薄膜电极的制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:采用恒压电流的方法制得硫化镉薄膜;然后在惰性气体保护条件下将制备的硫化镉薄膜于400℃~500℃煅烧30~60分钟,使其晶化成CdS薄膜电极;采用恒压电流的方法制得MoS2/CdS复合材料薄膜;然后在惰性气体保护条件下将制备的复合材料薄膜于500℃~550℃煅烧50‑70分钟,使其晶化成MoS2/CdS纳米薄膜电极。本发明的电极将MoS2电沉积到CdS薄膜电极上,纳米MoS2均匀分布在CdS薄膜表层,增强了CdS的电子传导能力,拓宽其在可见光区的吸收范围,提高其光电转换效率。
声明:
“MoS2/CdS薄膜电极的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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