本发明公开了一种限域生长钴纳米颗粒的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极及其制备方法和应用。本发明先合成氧化钽纳米薄膜,然后将其作为载体,通过水热法,负载上Co(tzbc)
2(H
2O)
4配合物,通过化学气相沉积(CVD)的方法,对合成的
复合材料进行氮化反应,自然冷却到室温即可制备得到限域生长钴纳米颗粒的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极。本发明制备工艺简单,通过CVD炉,不需要特殊压强环境即可完成限域生长钴纳米颗粒的的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极的制备。制备的限域生长钴纳米颗粒的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极同时具有电催化析氢和析氧性能。
声明:
“限域生长钴纳米颗粒的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)