本发明涉及一种具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,属于
电化学领域。上述具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,包括:步骤1:负介电层材料
石墨烯/聚偏氟乙烯
复合材料的制备;步骤2:在石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料上制备环氧树脂涂层。本发明提供的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,工艺简单,获得具有高频率高介电常数的超构电容器材料在100MHz‑1GHz频段,介电常数保持100以上,介电损耗正切值低于0.15,突破了介电弛豫对电容器性能的制约。
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