本发明涉及一种采用含氧前驱体化学气相沉积制备
稀土硅酸盐陶瓷的方法,采用稀土氧化物作为反应物,以CH
3SiCl
3作为先驱体、CO
2作为氧源,氢气作为载气和稀释气体、氩气作为保护气体,经过化学气相沉积,得到稀土硅酸盐陶瓷。可用于制备稀土硅酸盐
陶瓷粉体,也可以用于制备稀土硅酸盐陶瓷涂层,以及稀土硅酸盐陶瓷改性结构陶瓷及陶瓷基
复合材料。本发明稀土硅酸盐陶瓷的制备温度低,解决了稀土硅酸盐陶瓷制备温度过高的问题,制备过程操作简单,可重复性强,不会对材料形状造成影响,可工业化生产,为化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷以及稀土硅酸盐改性陶瓷基复合材料提供了新方法。
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“采用含氧前驱体化学气相沉积制备稀土硅酸盐陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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