本发明涉及一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC‑SiC复相涂层的制备方法,首先利用化学气相沉积技术在C/C
复合材料表面制备SiC纳米线,而后利用化学气相共沉积技术沉积HfC‑SiC复相涂层,进而在C/C复合材料表面得到SiC纳米线增韧HfC‑SiC复相涂层。本发明方法制备的SiC纳米线增韧HfC‑SiC复相涂层通过控制涂层中的组织成分及各相的均匀程度,缓解了涂层与炭炭复合材料热膨胀系数的不匹配,并通过纳米线桥联拔出机制抑制裂纹产生和扩展,有效地抑制了在烧蚀过程中HfC基陶瓷涂层开裂的情况。所制备的涂层厚度均匀,组织可控,工艺制备周期短、工艺过程简单,成本低。
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