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通过制备钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰核壳结构提高其充放电容量的方法

569   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:02:45
本发明公开了一种通过制备钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰核壳结构提高其充放电容量的方法,通过采用自组装和温和化学反应相结合的方法,首先合成氮掺杂碳包覆的钴酸锰八面体,再在外层生长二氧化锰片形成一种核壳结构的八面体,所述的钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰复合材料以氮掺杂碳作为导电改性相、钴酸锰作为内核,层片状二氧化锰外表面生长,以此增强该复合材料的充放电可逆容量。选用硝酸钴、硝酸锰、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水进行溶剂热反应,再进行聚苯胺包覆,高温碳化后外表面生长二氧化锰,经干燥得到钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰复合材料。该法生产工艺简单、成本低、所制得的钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰具有均一的八面体形貌和优良的电化学性能。
声明:
“通过制备钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰核壳结构提高其充放电容量的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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