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ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法

599   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 17:01:36
一种ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法，属于无机纳米半导体复合材料。步骤为：首先以六水硝酸锌（Zn(NO3)2·6H2O）、4.5水硝酸铟（In(NO3)3·9/2H2O），以及聚乙烯吡咯烷酮（Polyvinylpyrrolidone?PVP）为原料，其中硝酸锌和硝酸铟分别作为锌源和铟源，PVP增加溶液的粘度，并用乙醇、N，N-二甲基甲醛(DMF)作为溶剂，通过静电纺丝方法以及后续热处理过程制备出ZnO–In2O3纳米复合纤维；其次，以ZnO-In2O3复合纳米纤维作为晶种，在锌氨溶液环境下进行水热处理，在ZnO-In2O3纤维表面生长氧化锌晶体得到松枝形貌ZnO-In2O3纳米复合材料；最后，以松枝形貌ZnO-In2O3纳米复合材料作为基础材料组装成气敏元件。优点：能耗低、无污染，制备使用的设备简单，反应过程条件温和，稳定性好。具有类似PN型半导体异质结结构，灵敏度高，恢复时间短。
声明：
“ZnO-In2O3纳米半导体晶体气敏材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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