本发明的课题是提供一种多孔结构的
石墨烯材料的制备方法。解决的手段是,包括:以多孔氧化镁/硅
复合材料作为模板通过化学气相沉积法使碳源在所述多孔氧化镁/硅复合材料的结构内生长石墨烯形成氧化镁/硅/石墨烯复合结构的工序A;通过刻蚀去除复合结构中的模板材料的工序B,从而获得所述多孔结构石墨烯材料。本发明所用模板采用多孔结构的氧化镁/硅复合材料,可利用化学气相沉积法进行宏量制备。该多孔结构石墨烯材料的制备方法工艺简单,过程易控制,材料导电性能优异。
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