本发明公开了一种用金刚石镶嵌法在铜基底上生长强附着金刚石薄膜的方法,将体积比1︰1~5的铜粉和金刚石粉混合均匀,形成混合粉体,然后,采用现有冷压方法将该混合粉体制成金刚石/铜
复合材料基板;再将制成的金刚石/铜复合材料基板置于化学气相沉积设备中,采用现有沉积方法在该复合材料基板上生长强附着金刚石薄膜。采用本方法生长的金刚石薄膜与基底具有良好的机械结合,能够有效防止铜基金刚石膜在化学气相沉积过程中或沉积结束后冷却过程中出现的破裂脱落现象,具有良好的附着性能以及高的热导率。
声明:
“用金刚石镶嵌法在铜基底上生长强附着金刚石薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)