本发明公开了一种耐高温低热膨胀系数的铝基/PMOS基复合层状材料的制备方法,包括以下步骤:首先制得PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料,然后通过在Al‑Cu‑Mg‑Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4,制得铝基
复合材料,最后将制得的PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料、铝基复合材料、PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料复合制得层状材料,层与层之间采用粘合层材料粘结而成,制得的层状材料在200‑400℃热处理,制得铝基/PMOS基复合层状材料。该发明制得的复合层状材料力学性能好,强度大,耐高温性能优异,热膨胀系数低。
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