本发明提供一种薄膜的制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将单糖、钼源和硫源溶解于水中,经水热反应得到MoS
2纳米片/多糖的二元复合前驱体,然后经焙烧处理得到MoS
2纳米片/C的二元
复合材料;将所述MoS
2纳米片/C的二元复合材料和金源混合,在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒‑MoS
2纳米片/C三元复合材料;将所述Au纳米颗粒‑MoS
2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中,得到Au纳米颗粒‑MoS
2纳米片/C三元复合材料溶液,在基板上沉积该溶液后,退火得到所述薄膜。采用本发明的薄膜作为QLED器件的空穴传输层,可以提高空器件中空穴传输效率;同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。
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